低壓驅動電光調製器

橫向場ADP、KD*P和铌酸鋰類似物調製器

ADP

ADP調製器可以（yǐ）被（bèi）設計為在從UV到（dào）可見光直至900nm左右的所（suǒ）有波長下工（gōng）作（zuò），並且基本上不受壓電諧振的影響。這種調製器類型具有高（gāo）度的溫度穩定（dìng）性，但如果需要長期直流振幅，則應在恒溫（wēn）環境中（zhōng）運行。調製頻率不受器（qì）件特性的限製，而受其電容的限製，因此取決於所使用的驅動電路。寬帶（dài）AR塗層用於（yú）所有組件，或（huò）者我們可以提供流體填充（chōng）版本，包括超高傳輸類（lèi）型。

ADP設（shè）計的（de）一個特點是，由於光學傳播不是沿著對稱軸進行的，所（suǒ）以普通偏振光會“走光”，因（yīn）此有必要使用四個匹配的晶（jīng）體，適當地定向，以補償（cháng）走光和（hé）靜態（tài）雙折射。這（zhè）確實會對最大（dà）傳輸產生輕微影響，因為與其他調製器類型相比，晶體表麵的數量是前者（zhě）的兩倍。

KD*P

橫向KD*P電光調（diào）製器能夠提供比ADP型更高的熱穩定性，這主要（yào）是因為（wéi）它們不需要相同的四晶體排列。透射範圍也擴展到約1200nm，並且其消（xiāo）光（guāng）比也（yě）比從ADP對應物獲得（dé）的消（xiāo）光比（bǐ）更好。然而，它確實顯示出（chū）壓電特性，因此對於數百kHz到低MHz範圍內的高頻調製來說不是一個很（hěn）好的（de）選擇，盡管使用諧振阻尼技術（shù）可以提高這裏的性能。這些設備也可以提供幹燥的適當AR塗層或（huò）流體填充（chōng），包括超高（gāo）傳輸（shū）版本。

铌酸鋰

铌酸（suān）鋰（lǐ）是一種高溫生長的光學材料，與ADP和KD*P晶體不同，它不溶於水。盡管它在500nm以下（xià）（以及高達~800nm，請注意僅使用低光功率）無法安全運行，但在該範圍以上，它具有良好的（de）透明度，可達~4µm。為了獲得最佳的熱穩定性，最（zuì）好使用Z形切割晶體，這是我們的標準設計，並且沒有需要（yào）補償的靜（jìng）態雙折射。然而，使用雙折射補償X切割設（shè）計可以獲得更高的靈敏度。這種切割也用於（yú）不需要這種補償的相位調製器。

不幸的是，铌酸鋰是非常強的壓電性（xìng）的，這會限製其在需要良好時間性能的某（mǒu）些（xiē）應用中（zhōng）的使用。電池幹燥後在晶體和窗戶上塗上（shàng）合適的（de）AR塗層（盡管技術上（shàng）並不總是需要，但這些塗層用於密封電池以防灰塵等）

應用（yòng）

通過使用較低的工作電壓，可以更容易地找到具有足夠帶寬的驅動器。對（duì）於EM200係列調製器，M250通常足以（yǐ）提供（gòng）完（wán）整的調製（但最長波長僅為~700nm）。對於較大的（de）EM400和EM600設備，可（kě）以使用較新的M1000甚至（zhì）M2500放大器，但這些放大器的帶寬確實略為有限。原理（lǐ）應用通常是需要真正的模擬調製（任意波（bō）形）的任何地方，例如產生任（rèn）意偏振旋轉（zhuǎn）（需要額（é）外的波片（piàn）來保持線性（xìng）偏（piān）振）。它們還可用於從需要脈衝脈衝強度控製的CW激光源產生脈衝輸出，這是伴隨放大器可以輕鬆（sōng）提供的。