該設備包(bāo)括帶有(yǒu)彎曲(qǔ)條紋的“C型”增益芯片。條紋傾斜的刻麵專為外(wài)部反(fǎn)饋而設計,並具有深(shēn)層 AR 塗層,從而使芯片波導的背反射極低。它確保了(le)自激的阻斷,並消除了在外腔係統中操作時與複合腔相關的(de)問題。這導致在整個調諧範圍內(nèi)具有高邊模抑製比 (SMSR) 的非常精細的譜線(xiàn)。具有垂直條紋的刻麵具有適(shì)當的反射率(通常在 5-15% 的(de)範圍內),以同時(shí)提(tí)供寬波長(zhǎng)調諧和高輸出功率。標準器件中這一(yī)方麵的反射針對在外腔設置中的(de)操作進(jìn)行了優化,該(gāi)設置為芯片(piàn)提供了有效的反饋(約 50%)(如圖所示)。對於反(fǎn)饋較低的方案,我(wǒ)們建議使(shǐ)用在刻麵上具有不同塗層的定製設備,以提供優化的反射。
設(shè)計(jì)外腔的技(jì)巧:
建議使用閃耀光柵,以盡量減少(shǎo)對其他反射階數的損耗;
對於與凹槽正(zhèng)交的偏振效(xiào)率較高的光柵,建議使用λ/2板,以實現高波長分辨率和最佳反射效率(lǜ)的結合。
注意:工作波長、刻麵反射和其他參數可(kě)以針對特定應用和外腔係統設計進行優化(huà)。 我們知識(shí)淵博的應用團隊隨時準備根據您(nín)的需求和應用就最佳解決方案提供谘詢和建議。 請(qǐng)聯係(xì)我們獲取定製解決方案。
新(xīn)版本:光纖耦合
| 型號 | 最(zuì)大功率(lǜ)波長 | 可調範圍 | 最大輸出(chū)功率 | 中心波長 | 正(zhèng)向電流 | 慢軸發(fā)射角 | 快軸發散角 | 芯片長度(dù) | Datasheet |
| nm | nm | mW | nm | mA | deg | deg | mm | ||
| GMB1060150YY250MXXXX | 1100 | 150 | 250 | 1060 | 600 | 6.5 | 16 | 3 | |
| GMB1140120YY130MXXXX | 1170 | 120 | 130 | 1140 | 600 | 6 | 39 | 3 | |
| GMB1220080YY140MXXXX | 1240 | 80 | 140 | 1220 | 800 | 7 | 35 | 3 |
| MODEL | 中心波(bō)長 | 可(kě)調範圍 | 最大功率波長 | 尾(wěi)纖(xiān)端輸出功率 | 快軸光束發散角 | 慢軸光束發散角 | Ripples(RMS) | 條(tiáo)紋長(zhǎng)度 | 工作電流 |
| nm | nm | nm | mW | deg | deg | mW | mm | mA | |
| GM-1030-130-YY-200 | 1030 | 130 | 1050 | 200 | 19 | 7 | 0.2 | 2.8 | 400 |
| GM-1060-150-YY-250 | 1060 | 150 | 1100 | 280 | 16 | 6.5 | 0.1 | 3 | 600 |
| GM-1140-120-YY-130 | 1140 | 120 | 1170 | 130 | 39 | 6 | 0.05 | 3 | 600 |
| *– @ CW,25℃散熱器溫度,Littrow 配(pèi)置中的外腔,反饋 ≈50% 780-1330 nm 範圍內的任何定製波長都是可能的。 | |||||||||
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