*1:Vd 是漏電流為 1 µA 時的 AD 偏置電（diàn）壓。 Vb 的電壓為 300 V 至 500 V。
*2：在-8 kV的光電陰極電壓和Vb（擊穿電壓）-10 V的（de）AD偏置電壓下。
*3：在單（dān）光子狀態和光電陰極全照度下，指定為 FWHM（Full Widh at Half Maximum）。 這些閾值包括大約 30ps 的電子設備抖動。
*4：在 500 nm
